1. চ্যানেলের ধরন
একটি ভাল ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ডিভাইস নির্বাচনের প্রথম ধাপ হল একটি N-চ্যানেল বা P-চ্যানেল ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ব্যবহার করবেন কিনা তা নির্ধারণ করা। একটি সাধারণ শক্তি প্রয়োগে, যখন একটি ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর গ্রাউন্ড করা হয় এবং লোডটি ট্রাঙ্ক ভোল্টেজের সাথে সংযুক্ত থাকে, তখন ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর একটি কম-ভোল্টেজ সাইড সুইচ গঠন করে। একটি লো-ভোল্টেজ সাইড সুইচে, একটি এন-চ্যানেল ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর ব্যবহার করা উচিত, ডিভাইসটি বন্ধ বা চালু করার জন্য প্রয়োজনীয় ভোল্টেজের বিবেচনার কারণে। যখন ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর বাস এবং লোড গ্রাউন্ডের সাথে সংযুক্ত থাকে, তখন একটি উচ্চ ভোল্টেজ সাইড সুইচ ব্যবহার করা উচিত। পি-চ্যানেল ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর সাধারণত এই টপোলজিতে ব্যবহার করা হয়, যা ভোল্টেজ ড্রাইভের বিবেচনার কারণেও হয়।
2. ভোল্টেজ রেটিং
প্রয়োজনীয় ভোল্টেজ রেটিং, বা ডিভাইসটি সহ্য করতে পারে এমন সর্বাধিক ভোল্টেজ নির্ধারণ করুন। রেটেড ভোল্টেজ যত বড়, ডিভাইসের দাম তত বেশি। বাস্তব অভিজ্ঞতা অনুসারে, রেট করা ভোল্টেজ ট্রাঙ্ক লাইন ভোল্টেজ বা বাস ভোল্টেজের চেয়ে বেশি হওয়া উচিত। এটি পর্যাপ্ত সুরক্ষা প্রদান করবে যাতে FETs ব্যর্থ না হয়।
FET নির্বাচনের ক্ষেত্রে, ড্রেন থেকে উৎস পর্যন্ত সর্বোচ্চ ভোল্টেজ নির্ণয় করা গুরুত্বপূর্ণ, অর্থাৎ সর্বোচ্চ VDS। এটা জানা গুরুত্বপূর্ণ যে FET যে সর্বোচ্চ ভোল্টেজ সহ্য করতে পারে তা তাপমাত্রার সাথে পরিবর্তিত হয়। আমাদের অবশ্যই সম্পূর্ণ অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমার উপর ভোল্টেজের পরিবর্তনের পরিসর পরীক্ষা করতে হবে। সার্কিটটি যাতে ব্যর্থ না হয় তা নিশ্চিত করতে রেট করা ভোল্টেজের প্রকরণের এই পরিসরটি কভার করার জন্য যথেষ্ট মার্জিন থাকতে হবে। অন্যান্য নিরাপত্তা বিষয়ক বিবেচনার মধ্যে রয়েছে ইলেকট্রনিক্স (যেমন মোটর বা ট্রান্সফরমার) স্যুইচ করার মাধ্যমে ভোল্টেজ ট্রানজিয়েন্ট। রেটেড ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশন থেকে অ্যাপ্লিকেশনে পরিবর্তিত হয়; সাধারণত, পোর্টেবল ডিভাইসের জন্য 20V, FPGA পাওয়ার সাপ্লাইয়ের জন্য 20 থেকে 30V, এবং 85 থেকে 220VAC অ্যাপ্লিকেশনের জন্য 450 থেকে 600V।
3. রেট করা বর্তমান
রেট করা বর্তমান সর্বাধিক বর্তমান হওয়া উচিত যে লোড সব ক্ষেত্রে সহ্য করতে পারে। ভোল্টেজের ক্ষেত্রে অনুরূপ, নিশ্চিত করুন যে নির্বাচিত ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর এই রেটেড কারেন্ট সহ্য করতে পারে, এমনকি যখন সিস্টেম স্পাইক কারেন্ট তৈরি করে। বিবেচিত দুটি বর্তমান ক্ষেত্রে অবিচ্ছিন্ন মোড এবং পালস স্পাইক। ক্রমাগত কন্ডাকশন মোডে, ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর স্থির অবস্থায় থাকে, যখন যন্ত্রের মধ্য দিয়ে ক্রমাগত বিদ্যুৎ প্রবাহিত হয়। একটি পালস স্পাইক যখন ডিভাইসের মধ্য দিয়ে একটি বড় ইনরাশ (বা স্পাইক কারেন্ট) প্রবাহিত হয়। একবার এই অবস্থার অধীনে সর্বোচ্চ কারেন্ট নির্ণয় করা হলে, এই সর্বোচ্চ স্রোত সহ্য করতে পারে এমন ডিভাইসটি সরাসরি নির্বাচন করা প্রয়োজন।
4. পরিবাহী ক্ষতি
অনুশীলনে, ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর আদর্শ ডিভাইস নয়, কারণ পরিবাহী প্রক্রিয়ায় বৈদ্যুতিক শক্তির ক্ষতি হবে, যাকে পরিবাহী ক্ষতি বলা হয়। ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর "চালু" একটি পরিবর্তনশীল প্রতিরোধের মত, ডিভাইসের RDS (ON) দ্বারা নির্ধারিত হয়, এবং তাপমাত্রা এবং উল্লেখযোগ্য পরিবর্তন সঙ্গে. ডিভাইসের শক্তি অপচয় Iload2×RDS (ON) দ্বারা গণনা করা যেতে পারে এবং যেহেতু অন-প্রতিরোধ তাপমাত্রার সাথে পরিবর্তিত হয়, তাই শক্তি অপচয়ও আনুপাতিকভাবে পরিবর্তিত হবে। ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টরে যত বেশি ভোল্টেজ VGS প্রয়োগ করা হবে, RDS (ON) তত ছোট হবে; বিপরীতভাবে RDS (ON) তত বেশি হবে। উল্লেখ্য যে RDS (ON) রেজিস্ট্যান্স কারেন্টের সাথে কিছুটা বাড়বে। RDS (ON) প্রতিরোধের বিভিন্ন বৈদ্যুতিক পরামিতি বৈচিত্র্য নির্মাতার দ্বারা প্রদত্ত প্রযুক্তিগত ডেটা শীটে পাওয়া যেতে পারে।
5. সিস্টেম তাপ অপচয়
দুটি ভিন্ন পরিস্থিতি বিবেচনা করা আবশ্যক, যথা সবচেয়ে খারাপ কেস এবং বাস্তব কেস। এটি সুপারিশ করা হয় যে সবচেয়ে খারাপ-কেস গণনাটি ব্যবহার করা হবে, কারণ এটি নিরাপত্তার একটি বৃহত্তর মার্জিন প্রদান করে এবং নিশ্চিত করে যে সিস্টেমটি ব্যর্থ হবে না। এছাড়াও FET ডেটা শীটে কিছু পরিমাপ লক্ষ্য করা যায়; ডিভাইসের জংশন তাপমাত্রা সর্বাধিক পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা এবং তাপ প্রতিরোধের এবং শক্তি অপচয়ের গুণমানের সমান (জাংশন তাপমাত্রা=সর্বাধিক পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা প্লাস [তাপীয় প্রতিরোধ x পাওয়ার ডিসিপেশন])। এই সমীকরণ অনুসারে সিস্টেমের সর্বাধিক শক্তি অপচয়ের সমাধান করা যেতে পারে, যা সংজ্ঞা অনুসারে I2 × RDS (ON) এর সমান। আমরা ইতিমধ্যে ডিভাইসের সর্বাধিক বর্তমান পাস করতে চাই, আপনি বিভিন্ন তাপমাত্রায় RDS (ON) গণনা করতে পারেন। উপরন্তু, বোর্ড এবং তার ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর তাপ অপচয় করা উচিত।
যখন একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসে বিপরীত ভোল্টেজ সর্বোচ্চ মান ছাড়িয়ে যায় এবং ডিভাইসে কারেন্ট বাড়ানোর জন্য একটি শক্তিশালী বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি হয় তখন তুষারপাতের ভাঙ্গন হয়। ওয়েফারের আকার বৃদ্ধি তুষারপাত প্রতিরোধের উন্নতি করবে এবং শেষ পর্যন্ত ডিভাইসের দৃঢ়তা উন্নত করবে। অতএব, একটি বড় প্যাকেজ বেছে নেওয়া কার্যকরভাবে তুষারপাত প্রতিরোধ করতে পারে।
6. কর্মক্ষমতা সুইচিং
অনেকগুলি পরামিতি রয়েছে যা স্যুইচিং কর্মক্ষমতাকে প্রভাবিত করে, তবে সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণগুলি হল গেট/ড্রেন, গেট/সোর্স এবং ড্রেন/সোর্স ক্যাপাসিট্যান্স। এই ক্যাপাসিট্যান্সগুলি ডিভাইসে সুইচিং লস তৈরি করে কারণ প্রতিটি সুইচে চার্জ করতে হয়। ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টরের স্যুইচিং গতি এইভাবে হ্রাস পায় এবং ডিভাইসের কার্যকারিতা হ্রাস পায়। স্যুইচ করার সময় ডিভাইসের মোট ক্ষতি গণনা করতে, টার্ন-অন (Eon) এর সময় ক্ষতি এবং টার্ন-অফ (Eoff) এর সময় ক্ষতি গণনা করা হয়। FET সুইচের মোট শক্তি নিম্নলিখিত সমীকরণ দ্বারা প্রকাশ করা যেতে পারে: Psw=(Eon প্লাস Eoff)×সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি। এবং গেট চার্জ (Qgd) স্যুইচিং পারফরম্যান্সের উপর সর্বাধিক প্রভাব ফেলে।
